芯片供电新王炸！三维片上电容密度破千，AI算力“小巨人”们集体押注，科技圈又要沸腾了！
科技圈又有王炸消息！2026年6月12日，湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。这可是直接卡住AI芯片“功耗与稳定性”咽喉的产业突围。
平时跑AI大模型手机发烫、卡顿，就是电力供不上。传统电容离芯片远，电流还没到，芯片就“饿晕”了。而这次把平面电容改成三维结构，能直接集成到芯片内部。它就像“电RAM”，是算力的能量缓冲。
目前技术处于工艺流片和小批量试产阶段，将在先进封装领域规模化应用。这一突破让AI算力“小巨人”们集体押注，科技圈想不沸腾都难！
