中国现有DUV光刻机工艺最先进水平是中芯国际N+2工艺，约5.8纳米水平。
麒麟9050Pro是第1代韬芯片，采用了一次逻辑折叠，晶体管密度大幅提升，由1.55亿个/平方毫米提升到2.38亿个/平方毫米，提升幅度55% 。
关键字：逻辑折叠、立体堆叠、架构创新，在相同工艺节点下把晶体管立体排布，实现密度跃升 。
从而达到台积电3纳米初期晶体管密度水平。
问题是韬芯片是全系列全架构的重构，信号的传输时间大幅缩短，所以麒麟9050Pro芯片就很猛。
这就是5.8纳米打3纳米，你说强不强？
直道无法超车，就弯道超车！
没有EUV光刻机也照样干他！
为华为点赞！
