路透社报道，长鑫存储正启动新存储芯片工艺平，基于该平台打造的24GBLPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。
长鑫存储表示，已将芯片数据存储区域内关键结构之间的间距缩小至11.95纳米，即约120亿分之一米。该公司通过采用“四重曝光”（quadruple patterning）技术实现了这一突破；该技术通过重复多次制造工序来构建更精细的电路图案。据长鑫存储介绍，以8千兆位（Gb）芯片为例，该平台每片晶圆可产出的芯片裸片（die）数量较其第四代平台至少增加了50%。该公司表示，该平台的开发利用了计算机模拟技术，并在关键生产环节与中国半导体设备制造商开展了合作。
