长鑫存储拟进军闪存市场，挑战三星和长江存储

据路透社援引知情人士消息报道，长鑫存储正准备进入由三星电子等外国竞争对手主导、正在蓬勃发展的闪存芯片市场。此举将在全球存储芯片短缺之际扩大其客户群。
此举还将使这家DRAM芯片专业厂商与国内竞争对手长江存储正面竞争，从而进入半导体行业增长最快的细分市场之一。
AI服务器的强劲需求造成了全球存储芯片短缺。行业高管认为，短缺至少将持续到2027年。SK海力士CEO郭鲁正7月表示，从供应角度看，2027年可能是行业最糟糕的一年；集邦咨询预计，NAND供应紧张要到明年下半年才会缓解。
集邦咨询指出，制造商还将资本支出优先投向DRAM和高带宽内存（HBM），限制了NAND闪存产能的增加，加剧了该细分市场的短缺。
DRAM提供处理器使用的工作内存，而NAND用于在手机、电脑和数据中心中存储数据。两名消息人士称，长鑫存储计划在其北京新工厂建立一条NAND闪存研发生产线。一名消息人士称，该
公司还在北京设立了一家研究院，当地项目包括NAND开发。
第三名消息人士称，长鑫存储已与客户讨论其NAND计划，其中包括一家新成立的初创公司。后者打算购买其NAND芯片，用于AI系统和超级计算机的存储产品。但该人士拒绝透露这家公司的名称。
目前尚不清楚该研发生产线何时开始运营，也不清楚长鑫存储是否打算从研发和试产转向大规模商业量产。
集邦咨询数据显示，三星第二季度按收入计是全球最大NAND供应商，份额为29.3%。SK海力士排名第二，其后是美国美光科技。
长鑫存储和长江存储在中国被称为存储芯片行业的“双子星”，此前基本在各自市场运营。长鑫存储主导中国DRAM生产，而长江存储是中国领先的NAND制造商。
这些界限已开始模糊。路透社4月报道称，长江存储已向客户发送低功耗DRAM样品，正在权衡进入长鑫存储的核心市场。
尽管这两家公司落后于更大的国际竞争对手，且更多集中于低价产品，但供应紧张增强了它们对部分中国客户的定价权。路透社7月报道称，在某些情况下，它们的收费高于外国竞争对手。
两家公司都已成为北京推动建设自给自足芯片产业、缩小AI等战略技术差距的关键支柱。
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