AI算力需求爆发 ↓800G/1.6T/3.2T光模块需求激增 ↓├─→ 磷化铟衬底（缺口>70%）→ 200G+ EML芯片（缺口60-70%）→ 1.6T模块产能被锁死├─→ BIAS-TEE/高速隔离器（缺口30-40%）→ 模块组装交付周期拉长├─→ 薄膜铌酸锂（下一代材料）→ 3.2T模块技术路线切换└─→ 高速连接器/硅光代工 → 封装效率与良率制约 ↓光模块成本结构中材料占比上升，毛利率承压 ↓国产替代加速（云南锗业、有研新材、光迅科技、麦捷科技等）
AI算力需求爆发 ↓800G/1.6T/3.2T光模块需求激增 ↓├─→ 磷化铟衬底（缺口>70%）→ 200G+ EML芯片（缺口60-70%）→ 1.6T模块产能被锁死├─→ BIAS-TEE/高速隔离器（缺口30-40%）→ 模块组装交付周期拉长├─→ 薄膜铌酸锂（下一代材料）→ 3.2T模块技术路线切换└─→ 高速连接器/硅光代工 → 封装效率与良率制约 ↓光模块成本结构中材料占比上升，毛利率承压 ↓国产替代加速（云南锗业、有研新材、光迅科技、麦捷科技等）
