电磁炉也有高压保护电路，它主要是保护绝缘栅晶体管不被高压击穿而设置的一种保护机制。

下面是电磁炉内部的高压保护电路。我们知道晶体管都有一定的耐压限制，电磁炉内部电路板上的绝缘栅晶体管，它集电极上的电压不能超过1100伏，如果超过就会击穿晶体管而受到损坏。


为了晶体管IGBT不被高压损坏，电磁炉电路的设计者们会在晶体管的集电极上加一路高压检测电路。用这个电路来监控晶体管集电极C的电压，使它工作在安全电压范围内。


熟悉电磁炉电路的朋友都知道，当IGBT晶体管导通时，就有310V 开始给电磁炉的炉盘线圈充电，这时电流会从炉盘线圈到晶体管集电极C，再到晶体管的发射极E，然后入地形成回路。这时电路盘的两端电压为左正右负，当晶体管关断后，会产生反向的自感电动势，此时它的方向是左负右正，来维持原来电流的方向。


这样线圈上的电压与振荡电容C6上的电压会叠加在一起，这点的电压会瞬间上升到上千伏，很容易使IGBT晶体管击穿损坏。


所以在这里就加了一路检测电路，这点的电压产生以后，它会经过R4、R15、R16 这三个电阻。它们串联分压后，会在R15和R16间产生一个采样电压。


这个采样电压会经过限流10k电阻R18送给微处理器MCU的第18引脚Vo LH。这个引脚就是高压保护引脚，从这个引脚采样过来的电压值会和芯片内部设定的电压值进行比较，如果电压过高，芯片会自动调整它的占空比，缩短高脉冲的脉宽，这样就调整了输出PWM脉冲信号的宽度，最终使IGBT晶体管的导通时间变短，从而给电磁炉盘的充电时间也变短了，就会使IGBT晶体管的集电极C这点电压下降，这样就起到了保护IGBT的作用。