【SemiAnalysis:闪存制造正“由钨转钼”】8月23日,半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文,阐述3D NAND闪存制造从钨向钼转型的技术逻辑。3D NAND大约十年前就停止了横向缩小,转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后,连接每个存储单元的钨字线遭遇了物理瓶颈:电阻
【SemiAnalysis:闪存制造正“由钨转钼”】8月23日,半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文,阐述3D NAND闪存制造从钨向钼转型的技术逻辑。3D NAND大约十年前就停止了横向缩小,转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后,连接每个存储单元的钨字线遭遇了物理瓶颈:电阻