早在2025年4月，团队的重磅成果就登上《自然》主刊，推出名为“无极”的芯片。它是全球首款二硫化钼二维半导体32位处理器，芯片厚度只有0.65纳米，仅仅几层原子那么薄，集成了5900个晶体管，是之前全球记录的50倍。在1kHz频率下，能够完成37种32位指令，待机功耗只有传统硅芯片的五分之一，微米级工艺就能对标28nm硅芯片的能耗。靠着原子级调控加上AI优化工艺，芯片阵列良率达到99.77%。同年10月，团队又拿出“长缨”混合闪存芯片，良率94.3%。
为什么我们要费劲研发二维芯片？现在传统硅基芯片越做越小，慢慢摸到物理天花板，漏电、散热问题很难解决，先进制造设备还受到外部限制，摩尔定律越来越难往前推进。而二硫化钼这类二维材料，可以解决漏电难题，被全球科技企业看作1nm之后延续芯片性能提升的备选方案。
这项技术还有一个亮点，采用开源RISC-V架构，避开国外专利壁垒，七成工序能直接复用现有的硅芯片产线设备，不用从零搭建整套工厂，相关核心工艺手握20多项专利。按照规划，2026年9月实现等效90nm小批量，后续稳步迭代，目标在2029至2030年依靠全国产装备冲击等效1nm。
当然大家别误会，二维芯片现阶段只是原型验证，并不会马上取代硅基芯片。它会优先用在物联网、传感器、柔性电子这类低功耗场景，二者更多是互补关系。
这件事带给我们最大的启发：芯片赛道不是只有一条路。当传统先进制程遇到阻碍，国内科研团队另辟蹊径，在下一代半导体提前布局。虽然距离大规模商用还有漫长工程考验，但这条新赛道，我们已经拿到入场券。