长鑫科技第五代技术平台正式量产长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产9月20日世界制造业大会官宣这个消息，国产存储又往前跨了一大步！这次工艺直接冲到11.95纳米半间距，存储电容深宽比45:1，核心功能区高度压到6762纳米，工艺水平已经比肩国际顶尖量产水准。同等条件下，单张晶圆产出相比上一代提升50%以上，存储密度大涨。基于这个平台的24GB LPDDR5X内存已经量产，直接进入国产旗舰手机供应链，以后国产手机用上自研高端内存了。现在长鑫稳居全球第四大DRAM厂商，和国际巨头的技术代差压缩到一代以内。国产存储一步步突破壁垒，这种自主研发的突破看着真的很让人期待！