【中国团队让新型存储芯片耐久性提升100倍，可承受超百亿次写入】《南华早报》9月13日援引《西安日报》报道称，中国科研人员在新型铁电存储材料领域取得突破。

报道显示，西安电子科技大学联合香港城市大学、复旦大学研究团队，在纤锌矿型铁电材料中实现超过100亿次写入循环，耐久性约为此前同类材料的100倍。相关论文已发表于《科学》杂志。

研究人员发现，氮空位会在材料反复切换过程中移动、聚集，形成电流泄漏通道，最终导致器件失效。团队通过设计层状结构限制氮空位运动，大幅减缓材料性能衰减。

以氮化铝钪（AlScN）为代表的纤锌矿铁电材料具有高速开关、低能耗等潜力，并与现有半导体制造工艺兼容。不过此前相关器件通常约1亿次写入后就可能失效。

研究团队表示，这一成果有望推动铁电存储器向高密度、低功耗方向发展，为未来高性能计算和AI硬件提供新的存储技术选择。目前相关成果仍处于实验室阶段。科技

早安！

（图源：《南华早报》）