晚间大利好！中科院重磅成果！

存算一体瓶颈被攻克，这几个方向有望站上风口……

消息上：中科院半导体所团队通过二维范德华异质结界面工程，实现埃米级原子滑移。

撬动千万倍电阻变化，攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难题，成果发表于《科学》，有望用于低功耗存算一体。

这项突破的核心影响在于，它解决了存算一体芯片的关键瓶颈：首次在单一器件中同时实现了千万倍的电阻开关比与超1011次的循环耐久性。

这意味着未来手机和电脑的存储与运算有望速度更快、功耗更低，为突破现有算力瓶颈、推动新型计算架构落地提供了可行的技术方案。

此消息直接利好四大方向：

1️⃣存算一体芯片设计公司。

技术突破存算一体核心瓶颈，必然带来的就是降低功耗，这会加速其芯片落地与商用，带来的就是更多营收和利润。

2️⃣AI芯片

该技术能让AI芯片把存储与计算集成在同一器件内，省去数据频繁搬运，大幅降低功耗和延迟，最终达到千万倍开关比支持高精度多态存储，高耐久满足反复读写，埃米级尺度利于高密度集成。

3️⃣AI应用端。

技术突破后，其低功耗、高耐久，这就会提升AI芯片能效算力，有利于加速端侧AI应用落地。

4️⃣二维半导体材料供应商。

该技术依赖二维范德华异质结，其产业化一旦拉开，这将会拉动二硫化钼等材料需求。

但是要注意的是，利好是实实在在的利好，不过不是马上的。现在此技术还在实验室，短期影响小更多是情绪提振，长期来看必然是利好整个算力产业链以及AI应用端的。

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