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芯闻简讯:英特尔High-NA EUV晶圆处理量破100万片 据外媒Tom's Hardware报道,英特尔于本周一宣布,其使用ASML高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻机累计处理的300毫米晶圆已突破100万片,距离其首台设备完成组装还不到两年半时间。 这一数字涵盖设备安装与认证、工艺研发以及量产等各个环节,是今 ​

芯闻简讯:英特尔High-NA EUV晶圆处理量破100万片

据外媒Tom's Hardware报道,英特尔于本周一宣布,其使用ASML高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻机累计处理的300毫米晶圆已突破100万片,距离其首台设备完成组装还不到两年半时间。

这一数字涵盖设备安装与认证、工艺研发以及量产等各个环节,是今年早些时候High-NA EUV通过Intel 18A工艺认证、并被用于制造部分Panther Lake处理器之后的最新进展。

英特尔目前的High-NA EUV机队包括2台ASML TWINSCAN EXE:5000和至少1台EXE:5200B。值得注意的是爬坡速度:截至2025年2月底,英特尔每月处理的High-NA EUV晶圆约为3万片,而到2026年9月,累计处理量已越过100万片大关,机队规模和工艺成熟度均实现跨越式增长。

百万片晶圆意味着曝光稳定性、光刻胶表现、良率、设备维护和单片成本等关键量产参数已经过大规模验证。

ASML方面透露,全球High-NA EUV机队可用率已从约80%提升至2026年7月的84%,目标是2026年第四季度达到90%、中长期达到93%;通过认证的EXE:5200B在验收测试中已达到每小时135片晶圆的吞吐量,较EXE:5000的每小时100片提升35%。设备间套刻精度已做到约0.6纳米,与NXE平台相当甚至部分指标更优。

目前全球完成High-NA EUV装机的客户共4家、在运设备10台,另有3台正在出货和装机中,台积电据称要到2029年前后才计划导入High-NA EUV。