半导体生产用气，中国能自产自销自用吗？25%已国产替代，其他日本信越在卡脖子，不是技术是价格倾销。国产电子级二氯硅烷现在能用，头部纯度追平进口，成熟制程已批量跑。但最顶尖节点和极限杂质控制上，日本信越等仍略领先。

DCS在600-1150℃炉里裂解放硅，同时吐HCl，HCl反过来抑制气相乱成核，逼硅只在片表面沉积——这才是外延能做得均匀的根本原因。所以气体里水分多了会额外生HCl，均匀性第一个垮。

娇贵在哪？炉温越高膜越薄，ppb级杂质直接被"复印"进硅膜：金属进去少子寿命掉、漏电流飘；硼磷碳偏0.1ppb电阻率就偏移；水分残留导致雾片。所以起步得6N，先进节点奔sub-ppt。

国产现状：三孚、中船特气、金宏等做到6N-7N，金属总量压到1ppb内，进了长存、长鑫、中芯、华虹的供应链。反倾销落地后进口被征80%-99%保证金，国产加速抢份额。

实际分三档：28nm及以上直接切，没问题；7nm以下先进节点国产能进非关键层，但最敏感的沟道层多数厂还是进口主供+国产备份双源。真正卡脖子的不是提纯，是钢瓶长期存放零析出、特定杂质定向脱除经验、以及晶圆厂认证周期长。基础指标平了，长期稳定性还在补作业。