单项指标世界第一！6英寸氧化镓晶锭突破70mm，第三代半导体迎来大突破第三代半导体赛道再传国产重磅喜讯，富加镓业采用自主垂直布里奇曼VB法，成功生长出厚度超过70mm的6英寸氧化镓单晶晶锭，相关样品已经通过平湖实验室、中国计量科学研究院双重权威检测。很多人分不清，氧化镓晶锭，晶棒是越厚越好。晶锭的有效等径厚度，直接决定一根晶体能够切出多少片衬底晶圆。厚度越高，单片衬底的生产成本就越低，是氧化镓走向产业化的核心关键指标。从公开披露的数据来看，日本NCT同VB技术路线的6英寸晶锭，公开等径厚度仅40‑50mm。这次70mm厚度，代表在VB法6英寸氧化镓晶锭等径厚度这一项指标上，刷新全球公开纪录。氧化镓属于第四代宽禁带半导体材料，理论耐压性能优于碳化硅，在新能源车、光伏逆变器、储能功率器件拥有巨大的应用前景。过去高端氧化镓单晶技术掌握在海外企业手中，国内大多停留在小尺寸、短晶棒样品阶段。这次检测结果显示，晶锭结晶质量优异，电学性能已经可以达到碳化硅行业衬底的使用标准。但是我们也要客观理性看待，单项指标领先不等于全产业链世界第一。日本企业起步更早，在衬底抛光、外延工艺、下游器件验证、小批量供货层面积累深厚。长出厚晶锭只是第一步，后续切片、研磨抛光、良率爬坡、下游客户器件验证，还有很长的产业化道路要走。富加镓业本身并未上市，A股仅有少数企业参股。氧化镓技术持续迭代，会带动第三代半导体衬底加工、先进封装整条产业链的发展。随着未来良率持续提升，氧化镓有望和碳化硅形成互补，打开功率半导体全新市场空间。风险提示：本文仅产业资讯解读，不构成投资建议，股市有风险，投资需谨慎。