野村：DRAM/NAND 晶圆产能

三星电子

> DRAM 产能增长：SEC 的 DRAM 产能预计将从 2024 年底的 655k 片/月大幅扩展至 2030 年底的 1,264k 片/月，主要由 P4、P5 和 P6 等阶段的大规模产能增加驱动。同环比增长在 2030 年显著达到峰值 22%。

> NAND 产能趋势：NAND 产能短期内波动（2025 年和 2027 年出现下降），但在十年末显著增加，至 2030 年底达到 533k 片/月，同环比增长 29%。

SK 海力士

> DRAM 扩张：SK 海力士的总 DRAM 产能从 2024 年的 474k 片/月增加至 2030 年底的 1,183k 片/月。主要增长爆发预计在 2028 年（同环比增长 25%）和 2030 年（同环比增长 26%），主要由 Y1、Y2 和 Y3 阶段的新扩张支持。

> NAND 轨迹：在 2025 年至 2027 年间经历产能收缩后，SK 海力士的 NAND 产量从 2028 年起急剧飙升（同环比增长 58%），至 2030 年底达到 580k 片/月。

美光

> DRAM 增长与区域分布：美光的 DRAM 产能从 2024 年的 310k 片/月稳步增长至 2030 年底的 690k 片/月。扩张以其台湾工厂（从 195k 片扩展至 430k 片）及其美国/日本业务为基础。

> NAND 稳定性：美光的 NAND 产能至 2026 年保持在 130k 片/月稳定，随后通过新晶圆厂线（如 Fab 10 B 和 Fab 11）扩展，至 2029–2030 年达到 280k 片/月。