中国存储器：专家电话会议要点：产能、产品、价格；买入中国半导体设备
印证了中国本土半导体设备（SPE） 的乐观判断。
我们预计本土半导体设备赛道将充分受益于未来数年本土晶圆厂、存储工厂持续推进的产能扩张，同时本土半导体设备在产线中的采用率也将不断提升。
推荐买入标的：北方华创、中微公司、盛美上海、珂玛科技；
核心会议要点
1. 产能持续扩张
到 2030 年，行业头部公司的年产能相较当前水平有望实现翻倍以上增长。
合肥、上海、北京三地的产能扩建项目，全部计划在 2028 年前完成全面投产。
叠加 2028 年之后逐步释放产能的超大型生产基地，本土 DRAM 芯片的供给规模将持续提升。
本次新增的 DRAM 产能产线，不仅会采购全球一线半导体设备，也会批量导入本土半导体设备。
部分工厂除光刻机这类高端设备以外，产线其余设备均以本土半导体设备为主要选型。
2. 产品迭代开发
本土 DRAM 供应商的芯片产品将持续迭代升级。
以国内本土龙头存储公司举例，伴随其生产制造工艺持续升级，相较于去年，该公司在产品研发层面取得了进一步突破。
但客观来看，其自研 DRAM 产品性能依旧落后于全球同行厂商，例如芯片运行速度存在差距。
根据专家分析，实现 HBM3、HBM3E 产品量产，是该本土龙头公司 2026 年的核心目标。
受限于高端半导体设备供给约束，例如 EUV 极紫外光刻设备，本土 DRAM 供应商只能依靠 DUV 深紫外光刻设备，或是其他创新型制造工艺，来推进 3D DRAM 这类高端存储产品的研发工作。
3D DRAM 产品研发有望在 2027 年迎来全新技术突破。
3. 存储芯片价格走势
尽管本土存储供应商当前芯片良率仍存在一定劣势，但本土 DRAM 产品定价已经和全球一线存储厂商处于相近区间。
针对存储芯片价格走势，专家预计 2026 年第三季度、第四季度存储芯片价格涨幅，会明显低于 2026 年上半年。
造成涨幅收窄的核心原因是智能手机品牌厂商，面对上游成本持续上涨，开始主动压制采购报价。
但与此同时，海内外市场的 AI 算力相关存储需求依旧保持强劲，将支撑 2027 年存储芯片价格维持上行趋势。
考虑到 AI 算力需求长期旺盛，专家判断全球头部存储厂商短期之内不会削减 HBM 产能、将产线转回传统 DRAM 芯片生产。
存储芯片供应商与下游客户之间会签订更多长期供货合约，该趋势有利于存储芯片市场价格保持稳定。