2026年6月29日，三星集团与SK海力士在韩国“三大超级项目”国民发布会上，同步公布了规模空前的十年期扩产与投资计划，旨在应对AI算力爆发带来的存储芯片需求激增，巩固全球存储龙头地位。具体扩产计划如下：
一、三星集团扩产计划（总投资2655万亿韩元，约11.68万亿元人民币）
半导体集群建设（2030万亿韩元）：
龙仁、平泽老集群扩容（1650万亿韩元）：扩建先进DRAM、NAND、HBM产线，将原定2045年完成的龙仁半导体集群建设大幅提前。
光州全新晶圆基地（400万亿韩元）：规划新建4-5座新晶圆厂，打造韩国西南部新的存储制造集群，以缓解首都圈资源瓶颈。
HBM先进封装（100万亿韩元）：在天安、温阳等地加码HBM先进封装产线，优先放量HBM以抢占AI算力芯片供应链订单。
其他未来产业（625万亿韩元）：布局AI数据中心、人形机器人、固态电池、生物医药等协同产业。
二、SK海力士扩产计划（总投资1100万亿韩元，约4.84万亿元人民币）
龙仁晶圆园区（600万亿韩元）：大幅提前建厂周期，加快DRAM、NAND、HBM扩产，目标五年内DRAM产能翻倍，2034年扩至三倍。
清州产线升级（100万亿韩元）：扩产高端DRAM、NAND与HBM。
西南地区新集群（400万亿韩元）：在韩国西南地区新建半导体集群，以应对AI带动的存储芯片需求增长。
三、扩产核心目标与影响
产能目标：三星与SK海力士合计力争五年内将韩国DRAM总产能翻倍，以匹配全球AI存储需求。
产业布局：形成“首都圈成熟基地+西南光州新制造基地+忠清封装基地”的产业格局，打破产能集中京畿道的格局。
时间优势：通过加速落地，抢占2030年前全球AI算力芯片红利窗口期