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长鑫存储拟2027年量产12层HBM3E 与全球存储巨头技术差距或缩短至2至3年

长鑫存储拟2027年量产12层HBM3E 与全球存储巨头技术差距或缩短至2至3年。

媒体说已经出HBM3样件,向华为等国内AI芯片厂商供货,现阶段正处于量产前的验证环节,同时规划明年实现12层HBM3E的量产。如果该计划落地,长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。

长储和长鑫,今年利润爆发,把前几年亏的都赚回来。特别预计长鑫今明两年年赚钱可能比累积的投资都要多。投资回报率超高。