三星前员工向中企泄露核心半导体技术 一审获刑7年海外新鲜事
韩国一起半导体技术泄密案一审宣判。涉嫌向中企泄露核心技术的前三星电子研究人员全某（56岁），被首尔中央地方法院判处有期徒刑7年。
据韩联社报道，法院刑事第28合议庭认定，全某违反《工业技术保护法》等相关法律，参与泄露国家核心技术，情节严重。审判庭指出，其将企业投入巨资研发的关键技术外泄并提供给境外使用，已对企业及国家利益造成损害，应依法从严惩处。
调查显示，全某于去年5月被捕并起诉，曾与三星电子前经理金某一同离职，随后入职中国存储芯片企业长鑫存储。期间，全某被指向相关企业提供三星电子的DRAM（动态随机存取存储器）核心工艺技术。
涉案技术为三星投入约1.6万亿韩元（约合人民币74亿元）率先研发的10纳米级DRAM先进工艺。检方查明，全某以提供技术资料为交换，在近6年内从长鑫存储获取约29亿韩元报酬，其中包括合同奖金及股票期权。
此外，另一名涉案人员——三星前经理金某，此前在二审中因泄露核心工艺数据被判处6年有期徒刑并处罚金2亿韩元。但该案已被韩国最高法院发回重审，目前正在首尔高等法院继续审理。
图：2020年10月，在韩国首尔，三星电子的旗帜降半旗，以悼念其会长李健熙逝去。 © 法新社图片 男士60%新疆长绒棉白
