大家都知道存储芯片制程越往前走，越离不开先进的光刻机。
但9月20日，长鑫宣布第五代DRAM技术平台正式量产。它没有等到EUV，而是继续沿着DUV路线，把制程往前推。
这到底是怎么做到的？没有EUV的长鑫，又追到了哪一步？
国产无 EUV 芯片制造能力再进阶2026年9月20日，长鑫科技在合肥世界制造业大会上，正式宣布第五代DRAM技术平台实现量产，同时对外展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X内存产品。
在G5公布的四项核心工艺参数中，有源区半间距11.95纳米是最吸睛的数据，也是各大新闻的报道重点。
长鑫这套工艺全程不依赖高端的EUV光刻机，只用市面上可落地的ArF浸没式DUV光刻机，采用四重曝光技术。
简单来说，就是在芯片的同一个位置，反复进行四次曝光操作，再通过超高精度的套刻校准，一点点拼接出普通单次曝光做不出来的精细芯片线路。
知名第三方芯片拆解机构TechInsights，专门实测了长鑫G5代DDR5内存芯片。
最终检测结果显示，这款芯片的实际特征尺寸为16.0纳米，且全程没有使用EUV光刻机。
这说明在15至16纳米的先进工艺区间，DUV多重曝光已经是可以实现商业化量产、成熟可用的方案了。
而长鑫G5的价值把国产无EUV的芯片制造工艺，向前推进了一大步。
想要把这条技术路线走通、走稳，还要靠多项配套工艺的全方位升级。
其中关键的一项，就是长鑫将存储电容的深宽比提升到了45:1。
大家可以理解为，芯片内部的电容孔洞变得又窄又深，在这种狭小的空间里，还要精准完成刻蚀、镀膜、填充等一系列精密工序。
工艺尺寸越小、孔洞深宽比越高，操作容错率就越低，哪怕出现微小的工艺偏差，都会造成芯片良品率下降。
除此之外，长鑫还把芯片核心功能区的高度，压缩到了6762纳米。
同时打破技术应用壁垒，把原本只用于高端逻辑芯片的高介电常数金属栅工艺，成功适配应用在DRAM内存芯片的外围电路上。
可以说，企业完全可以通过优化芯片结构、升级配套工艺、压缩芯片体积等方式，开辟新的技术突破空间。
这也是长鑫G5技术，能和行业巨头三星同台对比的底气。
三星与长鑫的 DRAM 技术路线三星目前的技术路线，和长鑫完全相反。三星依靠EUV高端光刻机，简化多重曝光的复杂工序，降低整体工艺难度。
公开资料显示，三星用于HBM3E核心芯片的1b DRAM工艺，冷态测试良率已经达到92%；更先进的HBM4配套1c DRAM工艺，良率也突破了75%。
而长鑫G5靠着四重曝光工艺，把DRAM内存核心区域的半间距做到11.95纳米。同一片晶圆，能切出来的合格芯片数量，相比上一代G4至少提升50%。
相当于长鑫想在设备上不用一步到位，但是在生产环节，要让每一片晶圆，尽可能多出芯片。
但四重曝光也不是没有代价，它需要用到更多的掩膜层，对设备套刻精度的要求达到极致，单颗芯片的生产工序更长，同时大幅提升了缺陷管控难度和整体制造成本。
那产这么多芯片有什么用呢？DRAM属于重资产制造业，大部分都属于固定开销。
同一块晶圆能产出的芯片变多，固定成本就可以分摊到更多芯片上，单片芯片的成本就会下降。
SemiAnalysis 对 DDR5 内存做过单位比特成本测算，长鑫的生产成本虽然依旧比三星、SK 海力士、美光这三家头部厂商高出 30% 以上，但也确实改善了盈利情况。
不过现在市场价格高，就算生产成本偏高，依旧能赚钱。
我们来看看财务数据，2026上半年，长鑫科技营收1503.10亿元，同比大涨873.64%；归母净利润776.05亿元，去年同期还亏损23.32亿元。
主营业务毛利率84.84%，研发投入68.59亿元，同比上涨87.38%。
但2026年全球DRAM市场正处在很强的涨价周期，AI服务器需求持续增加，头部大厂又把一部分产能转向HBM和服务器专用内存，普通DRAM的供货就变得紧张。
TrendForce的数据显示，2026年第二季度全球DRAM行业总营收环比上涨59.5%，达到1547.3亿美元，机构预测第三季度普通DRAM合约价格，还会继续环比上涨13%—18%。
所以长鑫 84.84% 的毛利率，不能全部归功于 G5 把制造成本打下来了。
里面还有生产规模扩大、设备利用率提升带来的收益，更大一部分来自这一轮内存涨价带来的利润增长。
长鑫自己在业绩沟通会上也提到，DRAM行业价格波动很大，价格变化会直接影响毛利率。
同时公司固定资产账面价值已经到1815.63亿元，仅仅2026上半年，资产折旧就有145.10亿元。
也就是说长鑫G5跨过了技术能不能实现这一关，但还没有跨过量产能不能赚钱，如果能做到，那G5的意义便给长鑫找到了一条新的量产路线。
不过就在成本曲线还在艰难下降阶段，已经客户有在给长鑫下订单了。
全场景芯片落地目前长鑫已经拿下腾讯、阿里云、字节跳动、联想、小米等一众行业头部核心客户。
这类大额长期合作，比单纯进入手机供应链的意义大得多。
如今长鑫的LPDDR5、LPDDR5X内存芯片，已经成功进入小米、传音的手机供应链。
根据企业半年报信息，这款芯片可以完美适配中高端智能手机、笔记本电脑、智能物联网设备的使用需求，同时车规级LPDDR5X芯片也已正式量产上市。
并且长鑫的芯片开始跻身旗舰手机行列，努比亚NaviX Ultra手机，搭载了长鑫速率10667Mbps的LPDDR5X芯片，这是该速率段的国产芯片，第一次实现大规模商用。
后续小米18 Fold折叠屏手机，更是全球首发搭载长鑫全新LPDDR6内存芯片。
这款芯片峰值速率可达12800Mbps，最高支持16GB容量，相比上代LPDDR5X，带宽提升60%，功耗降低20%。
这意味着长鑫已经能参与定义下一代手机的高端硬件标准，和国际顶尖芯片厂商同台竞争。
其次就是服务器，服务器需要全年无休、连续数年高负荷运行，承载着海量数据、云端服务、企业核心业务。
所以服务器采购芯片时，会考核设备长期稳定性、运行一致性、低故障率，还有企业的长期供货能力，标准远比手机严苛。
也正因如此，长鑫和腾讯超30亿美元的长期供货协议，这份协议覆盖的正是服务器专用DRAM芯片。
这单合作本质是国内顶尖互联网企业，愿意把自家数据中心的核心内存供应，托付给长鑫，也验证长鑫的芯片足以支撑高端云端业务，经得起长期高负载的市场考验。
最后就是长鑫入局车规级芯片市场，旗下车规级LPDDR5X芯片已完成量产并推向市场。
从手机、服务器再到汽车市场，长鑫的成长证明消费能用、云端敢用、汽车端证明长期可用。
并且有行业报道显示，苹果曾主动接触长鑫，希望以低价采购DRAM芯片，但长鑫直接拒绝，坚持报价不低于三星、SK海力士两大国际巨头，部分产品定价甚至更高。
我们仔细想想，一个芯片企业敢拒绝大客户的压价要求，靠的是充足、稳定的优质订单，以及可控的产能分配权。
目前华为、小米等国内头部科技企业，已经通过长期合同，锁定了长鑫的绝大部分产能。
有稳定的国内核心订单兜底，长鑫不需要靠低价让利，去承接苹果的单一订单。
2026年第二季度，长鑫DRAM芯片的全球营收市场份额提升至10%，较去年同期增长4个百分点，相比上一季度增长2个百分点。
目前长鑫稳居全球DRAM厂商第四名，也是全球增速最快的存储芯片企业。
过去全球DRAM市场，长期被三星、SK海力士、美光三家外企垄断，长鑫跻身全球第四，意味着它变成了能影响全球芯片供需格局的核心玩家。
回头再看长鑫的G5 11.95纳米工艺，它的价值就是为国产存储抢出了宝贵的发展时间窗口。
在无法使用EUV高端光刻机的前提下，长鑫依靠DUV多重曝光技术，换来了入局高端DRAM市场的资格和时间。
而这段来之不易的时间，绝不是用来追赶国外巨头的工艺节点、复刻别人的技术路线。
它真正的价值是让长鑫有时间持续扩大核心客户、打磨生产良率、磨合完善国产供应链、积累服务器、车规芯片等高门槛市场的验证数据。
同时把市场端、客户端的真实使用反馈，反向优化迭代下一代芯片工艺。
所以，DUV买到是中国DRAM从把产品做出来，走向建立自己的产业循环的窗口。
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