英伟达最新AI平台Vera Rubin进入量产阶段，SK海力士、三星和美光之间的竞争正从层数比拼转向技术攻坚，芯片内部热管理已成为HBM5时代的关键突破口。

AI硬件加速迭代，英伟达、AMD新一代AI服务器GPU单芯片功耗逼近1000W。HBM4已堆叠12至16层，HBM5将迈向20层堆叠。

堆叠层数越高，HBM内部热量积聚越严重，过热会触发芯片降频、算力缩水、整机稳定性下降。英伟达和AMD等客户已明确要求HBM供应商加强散热管理。

SK海力士近期发布iHBM散热技术，将集成冷却元件内嵌到HBM中，在芯片内部开辟直通散热通道。

与传统设计相比，该技术可将热阻降低30%以上。SK海力士计划将iHBM应用于其HBM5及后续产品。